一则关于第三代半导体工业或将写入“十四五”规划的风闻引爆了商场。

近来有音讯称，我国正在规划将大力支撑开展第三代半导体工业写入“十四五”规划之中，计划在2021到2025年的五年之内，举全国之力，在教育、科研、开发、融资、运用等各个方面对第三代半导体开展供给广泛支撑，以期完成工业独当一面。9月14日，第三代半导体指数收涨8.22%。

全球第三代半导体工业赛道现已敞开。有别于榜首、二代半导体资料分别为硅(Si)、砷化镓(GaAs)，第三代资料为碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)，其制成芯片可被广泛用于新一代通讯、电动车等抢手新兴工业。

“现在咱们从第二代半导体进入第三代半导体年代，期望在一个新的年代完成抢先。”华为顾客事务CEO余承东不久前曾在一场会议上表明，半导体工业应该向多方位打破，比方物理学资料学的基础研讨和精细制造以及注重新资料和新工艺的严密联动，打破限制立异的瓶颈。

第三代半导体的兴起

榜首代半导体资料以硅和锗为主，是CPU处理器等集成电路首要运用的资料；第二代半导体指一部分化合物半导体，包含砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等，首要特性是频率较高，现在手机所运用的要害通讯芯片都选用这类资料制造。而第三代半导体资料首要是以碳化硅、氮化镓、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带的半导体资料。

与榜首代和第二代半导体资料比较，第三代半导体资料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱满速度以及更高的抗辐射才能，更适合制造高温、高频、抗辐射及大功率器材。其间，碳化硅和氮化镓的研讨和开展更为老练。

相对于传统的硅资料，碳化硅的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4~5倍；击穿电压为硅的8倍；电子饱满漂移速率为硅的2倍，因而，碳化硅特别适合于制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率的器材。

依据Omdia的《2020年碳化硅和氮化镓功率半导体陈述》，到2020年末，全球碳化硅和氮化镓功率半导体的销售收入估计将从2018年的5.71亿美元增至8.54亿美元。未来十年的年均增加率将保持两位数，到2029年将超越50亿美元。

依据Omdia的数据，到2020年末，SiCMOSFET估计将发生约3.2亿美元的收入，与肖特基二极管的收入适当。从2021年起，SiCMOSFET将以稍快的速度增加，成为最热销的分立碳化硅功率器材。得益于混合动力和电动汽车，电源和光伏(PV)逆变器需求的增加，估计到2021年，SiC和GaNPower的收入将超越10亿美元。

国内外企业争相布局

当时，以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体已逐步遭到国内外商场注重。

因为第三代半导体资料及其制造的各种器材的优越性，许多国家将第三代半导体资料列入国家计划。美国、欧盟均建立了相应的中心及联盟，致力于研发第三代功率半导体功率器材；2015年和2016年国家科技严重转型也对第三代半导体功率器材的研发和运用立项。碳化硅电力电子器材商场在2016年正式构成。不少半导体厂商也已首先入局。

英飞凌、ST等全球功率半导体巨子以及华润微(688396.SH)、中车年代半导体等国内功率厂商都要点布局在该范畴的研讨。为了开展功率半导体，华为也敞开了对第三代半导体资料的布局。华为旗下的哈勃科技出资有限公司在2019年8月份出资了山东天岳先进资料科技有限公司，持股10%，而山东天岳是我国第三代半导体资料碳化硅龙头企业。

本年关于第三代半导体的出资项目在全国不断落地。

据榜首记者了解，2020年一季度，国内多个第三代半导体项目有新的发展。2020年3月，我国电科(山西)碳化硅资料