当时，国内第三代半导体工业开展重视度空前。
以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体在近年有两个标志性的使用。SiC方面，特斯拉的Model3采用了意法半导体和英飞凌的SiC逆变器，这是第一家在主逆变器中集满足SiC功率模块的车企，由此也将SiC的使用商场给点着；而上一年GAN一个典型的使用便是GAN快充，现在干流手机厂商均已发布氮化镓快充产品。
当然，上述所罗列的使用仅仅第三代半导体的“冰山一角”，伴随着5G、新能源轿车、智能电、轨道交通等下流使用快速开展，以及国家方针的大力扶持下，第三代半导体的商场规划正在继续增加，其间2020年三代半衬体资料的商场规划到达9.97亿元，同比增加26.8%。
那么，当时国内第三代半导体工业已开展到哪个阶段？与国外头部厂商比较是否存在技能距离？开展进程中存在哪些机会和危险要素？为此，《科创板日报》记者近期实地造访调研了国产功率半导体龙头企业——华润微，后者于上一年宣告国内首条6吋SiC晶圆出产线量产，现在公司的SiC二极管现已小批量出货，本年下半年或推出SiCMOSFET。
SiC二极管开展老练
据了解，与硅比较，SiC具有更为优胜的电气特性，一起SiC的热导率比硅更高，SiC器材也因而对散热的规划要求更低，有助于完结设备的小型化。
现在，SiC的工业链首要分为：SiC衬底资料的制备、SiC的外延成长、器材以及SiC模块封装。而在SiC范畴，现在华润微首要聚集于SiC器材的出产。
2020年7月，华润微正式发布1200V和650V工业级SiC肖特基二极管系列产品，并完结量产，《科创板日报》记者在调研中了解到，华润微的SiC二极管于上一年下半年投入商场，产品通过前期客户、客户验证等进程，本年现已构成一些量产规划，首要使用于工业类、电源类等范畴，现在营收约在百万量级。
值得注意的是，早在2001年，英飞凌就最早发布SiC肖特基功率二极管产品，但尔后至2016年前述产品才真实完结量产。因为SiC二极管在使用范畴现已历了近十年的使用验证，一起其技能迭代也一直在加快，因而国内涵SiC二极管方面技能也是比较老练，与国外厂商之间的技能距离并不大。
除SiC二极管外，SiCMOSFET也是华润微的研制的要点。《科创板日报》记者从知情人士处得悉，估计在本年下半年，华润微或将推出SiCMOSFET产品，后者可聚集新能源轿车、充电桩等使用需求。
在SiCMOSFET方面，第三代半导体职业龙头美国科锐于2011年陈述了MOSFET器材的研制，通过十几年的开展，现在以科锐、罗姆、英飞凌、ST等国外公司为代表的厂商，现已能够供给650伏到1700伏的老练产品，并且部分厂商近年在SiCMOSFET方面也在进行许多扩产。
与之比较，国内SiCMOSFET器材没有构成规划工业化，其功能的可靠性等还需要进一步的提高。
《科创板日报》记者得悉，在国内厂商中，此前深圳底子半导体曾推出1200VSiCMOSFET，到达可量产状况；上海瞻芯电子于2018年5月成功地在一条老练量产的6英寸工艺出产线上完结SiCMOSFET的制造流程；别的我国电科五十五所是在SiC范畴最早布局的公司，其建有SiC6英寸的产线，产线才能是约3万片每年，在MOSFET方面已完结了650伏到1700伏MOSFET的量产。
工业进入扩张期
在SiC的许多下流使用场景中，电动轿车将是SiC器材更有潜力的使用商场。
有组织猜测，到2025年全球SiC商场将会增加到60.4亿美元，到2028年商场增加5倍。而现在全球SiC硅晶圆总产能约在40-60万片，而假如依照2022年特斯拉的交给量100万辆车核算，仅一个特斯拉就将耗费全球SiC硅晶圆总产能。
不过，有第三代半导体职业人士向《科创板日报》记者表明，车厂对SiC器材的要求十分高，一方面是资料的安稳，现在第三代半导体资料使用在工业范畴都不能彻底的满足要求，更不用说使用在车上；其次，现在国产硅基器材使用在车厂的都很少，更不用说是SiC器材，因而尽管使用商场十分的广泛，但对国内供货商而言还有很长的路要走。
此外，国内第三代半导体厂商中，更多的企业聚集于SiC器材端，而在资料衬底端布局的企业则寥寥无几，但SiC衬底不仅是工业链中最中心的环节，一起，因为衬底的本钱占整个器材将近一半，因而衬底本钱的凹凸，也直接影响SiC器材价格的凹凸。
《科创板日报》记者在对华润微调研时，企业的感触也是SiC器材的本钱偏高。
而下降SiC衬底本钱的方法之一是向大尺度方向开展，即衬底的尺度越大，边际的糟蹋就越小，有利于进一步下降芯片的本钱。现在美国科锐已成功研制8英寸产品，而国内企业中，山东天岳现在首要是4英寸衬底，英寸衬底小批量出售；天科合达相同以4英寸衬底为主，正在6英寸衬底过度。
产能的提高也将使得衬底资料本钱继续下降。据《第三代半导体工业开展陈述2020》白皮书显现，为投合商场需求，国内第三代半导体企业：天科合达、同光晶体、泰科天润、三安光电、英诺赛科等纷繁扩产，预示着国内第三代半导体工业开端进入扩张期。
别的，伴随着职业上下流厂商的博弈，以及越来越多的“后起之秀”入局第三代半导体范畴，美国科锐在SiC商场的比例从此前的80%，下降至当时40%左右。有业内人士估计，美国科锐在SiC资料范畴的商场占有率会进一步下降，直至降到30%左右，而工业集中度的下降必将意味着商场竞赛将愈加剧烈。未来SiC衬底的价格或将继续以每年15%左右的速度下降。
不过也有观念以为，假如底子的技能问题没有得到大的改善，其实降价的空间，从衬底这个维度来看是相对有限。
从研制到规划商业化的应战
整体来看，国内第三代半导体职业开展潜力巨大，但一起开展进程中亦面对许多的应战。
赛迪参谋就在其发布的《2021半导体资料工业演进开展白皮书》中指出，现在我国的第三代半企业现已从小批量的研制形式转向了规划化商业化的出产形式，但国内的第三代半工业多为高校和科研组织技能转化出来的企业，这些企业存在着实力相对微小、抗危险才能差，在工业链中的位置和话语权缺乏等问题。
因而白皮书中主张，第三代半导体的功能和资料、结构规划和制造工艺它的相关严密，并且制造产线的出资额相对较低，主张国内企业为了保证自身的竞赛优势，能够向IDM形式改变。
从职业视点看，包含英飞凌、ST、日本罗坶等公司均采纳的IDM形式，别的美国科锐公司的SiC工业链掩盖衬底、外延及器材制造；而在国内职业中，泰科天润、华润微、我国电科等均采纳的IDM形式，别的露笑科技出资的SiC工业园也掩盖晶体成长、衬底制造、外延成长等多个工业链环节。
第三代半导体职业人士《科创板日报》记者表明，现在国内做第三代半导体对外代工的厂商很少，因为代工的含义不大，资料本钱占比很大，加工费其实很少。
“像SiC的特性决议了其器材比较贵，不使用于消费级商场，也便是说使用场景要求较高，比方工业级、轿车级等范畴，因而不光产品的功能要到达要求，一起自身的供货才能，供应链的安全保证都有要求”，上述职业人士以为，“像这种产品，价格仍是其次，首要看产品功能是否能合格，其次看是否能继续安稳的供货，这都是十分重要的目标，因而假如是小公司，存在无法继续供货的危险。”
此外，还需警觉职业本钱过热的现象。
从工业的方针环境来看，尽管国家和各地政府出台了多项方针来促进三代半资料工业的快速健康有序的开展，但三安集团北京公司副总经理陈东坡此前提示，在许多二三线城市，因为关于半导体认知相对低一些，关于分辩优质项目和差项目的才能会弱一些，成果会导致职业的资源涣散，甚至有产能过剩的危险。
陈东坡对此主张，首要主管部门需提高项目支撑的精准度；其次是要强化窗口辅导；其三是上下流协同，以下流使用带动上游元器材，以下流使用企业查核上游元器材，来处理科技成果产品化的问题；第四，能够依托行的龙头企业树立中试研制渠道。